Le dépôt de couche atomique (ALD) présente non seulement un moyen direct de préparer des nanomatériaux lorsqu`il est combiné avec des modèles, mais permet également à l`ingénierie de surface de peaufiner les propriétés du matériau. Ici, nous examinons les progrès récents dans le domaine des matériaux nanostructurés et des dispositifs qui ont été fabriqués par ALD. Divers matériaux, y compris les matériaux semi-conducteurs, magnétiques, nobles métalliques et isolants, peuvent être utilisés pour former des nanostructures tridimensionnelles (3D), complexes avec une composition contrôlée et des propriétés physiques. Nous commençons cet examen avec des nanomatériaux ALD qui peuvent être préparés à partir de modèles poreux avec un arrangement de pores 2D, tels que l`oxyde d`aluminium anodique, et avancer vers les structures d`Opale avec un arrangement de pores 3D. Nous discutons également de l`ingénierie de surface par ALD sur les nanofils/nanotubes, les dispositifs et les modèles chimiques existants qui ont le potentiel d`application dans les transistors haute performance, les capteurs et la conversion d`énergie verte. Enfin, nous fournissons des perspectives pour les applications futures de dispositifs qui pourraient provenir des nanomatériaux d`ALD. Le réseau principal fournit des services de transfert haute vitesse et hautement redondants pour déplacer des paquets entre des périphériques de couche de distribution dans différentes régions du réseau. Les commutateurs de base et les routeurs sont généralement les plus puissants, en termes de puissance d`expédition brute, dans l`entreprise; les périphériques réseau de base gèrent les connexions les plus rapides, telles que 10 Gigabit Ethernet ou 100 Gigabit Ethernet. Pour envoyer cet article à votre compte, veuillez sélectionner un ou plusieurs formats et confirmer que vous acceptez de respecter nos règles d`utilisation. Si c`est la première fois que vous utilisez cette fonctionnalité, il vous sera demandé d`autoriser Cambridge Core à se connecter à votre compte. En savoir plus sur l`envoi de contenu. Le dépôt de couche atomique (ALD) utilise des réactions chimiques auto-limitantes entre des précurseurs gazeux et une surface solide pour déposer des matériaux de façon couche par couche.
Ce processus se traduit par une combinaison unique d`attributs, y compris la précision Sub-nm, la capacité à concevoir des surfaces et des interfaces, et une conformalité inégalée sur des proportions élevées et des structures nanoporeux. Compte tenu de ces capacités, ALD pourrait jouer un rôle central dans la réalisation des progrès technologiques nécessaires pour réorienter notre économie de l`énergie fossile à l`énergie propre et renouvelable. Cet article permettra d`étudier quelques-uns des travaux récents appliquant ALD pour nettoyer la conversion d`énergie, l`utilisation et le stockage, y compris la recherche dans les piles à combustible à oxyde solide, le photovoltaïque à film mince, les batteries au lithium-ion et les catalyseurs hétérogènes. Tout au long du manuscrit, nous insistons sur la façon dont les qualités uniques d`ALD peuvent améliorer les performances des appareils et permettre de nouvelles conceptions radicales. Services centraux/atomiques: la plupart des technologies existantes se concentrent sur la construction de ces services.